RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
56
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2148
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link