RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
56
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2148
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link