RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
45
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
5.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
45
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
5.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
1535
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link