RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3592
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link