RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
56
En -195% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
19
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3681
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link