RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
56
Autour de -195% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
19
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3681
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link