RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2915
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link