RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2915
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD3SST4GG5WB-CKGEL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link