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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Compara
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
52
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
3178
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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