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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
52
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
14900
En 1.72 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
39
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
25600
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2782
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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