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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Compara
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
52
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
14900
En 1.43 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
37
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
21300
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2277
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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