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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
52
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2583
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
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