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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
52
左右 -108% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
25
读取速度,GB/s
9.7
14.3
写入速度,GB/s
7.2
10.7
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2583
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
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