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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Compara
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
52
En -126% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2173
2886
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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