RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
27
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
17
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3550
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link