RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Compara
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB vs Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Puntuación global
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
64
82
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
82
Velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2205
1354
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link