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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
48
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
46
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2961
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
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