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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
46
48
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
46
读取速度,GB/s
8.9
13.7
写入速度,GB/s
5.9
12.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2961
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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