RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Compara
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
37
Velocidad de lectura, GB/s
14.5
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.2
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2461
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link