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Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
比较
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
37
读取速度,GB/s
14.5
13.9
写入速度,GB/s
9.2
9.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2461
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
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