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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Compara
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2275
2750
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
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