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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
比较
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
总分
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.4
15.1
写入速度,GB/s
8.4
9.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2275
2750
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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