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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
45
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
41
读取速度,GB/s
12.3
13.3
写入速度,GB/s
8.0
9.0
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2016
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
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