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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
45
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
41
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2016
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
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