RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
45
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
45
41
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2016
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link