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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
比较
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
总分
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
总分
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
7.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
5.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
7.7
17.1
写入速度,GB/s
5.0
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1130
3409
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
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