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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
64
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
64
读取速度,GB/s
12.0
17.5
写入速度,GB/s
7.8
9.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2205
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
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