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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
46
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
24
读取速度,GB/s
12.2
16.4
写入速度,GB/s
7.9
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
2900
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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