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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
84
左右 -147% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
84
34
读取速度,GB/s
5.0
15.4
写入速度,GB/s
3.6
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2786
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
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