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Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Compara
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
10.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
29
34
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2412
2158
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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