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Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
比较
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
总分
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
10.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
34
读取速度,GB/s
10.7
13.1
写入速度,GB/s
10.5
8.6
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2412
2158
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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