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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2811
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
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