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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2811
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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