RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2917
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link