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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R948G3206U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
AMD R948G3206U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
36
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
AMD R948G3206U2S 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3320
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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