RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R948G3206U2S 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
AMD R948G3206U2S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
36
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
AMD R948G3206U2S 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3320
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link