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Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Comparez
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Note globale
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
24
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1788
2136
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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