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Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
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Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
総合得点
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
総合得点
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
25
周辺 4% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15
12.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.7
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
25
読み出し速度、GB/s
12.9
15.0
書き込み速度、GB/秒
8.4
8.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
12800
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1788
2136
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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