RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Porównaj
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
24
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1788
2136
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y2G64CB8HC5N-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link