Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.6 left arrow 8.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 25
    Wokół strony -4% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.9 left arrow 12.1
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    25 left arrow 24
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.1 left arrow 12.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.6 left arrow 8.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2045 left arrow 1788
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania