Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Различия

  • Выше скорость записи
    8.6 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 25
    Около -4% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.9 left arrow 12.1
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.1 left arrow 12.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.6 left arrow 8.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2045 left arrow 1788
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения