Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Pontuação geral
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Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Diferenças

  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.6 left arrow 8.4
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 25
    Por volta de -4% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    12.9 left arrow 12.1
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 24
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.1 left arrow 12.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.6 left arrow 8.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2045 left arrow 1788
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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