Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Gesamtnote
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Unterschiede

  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.6 left arrow 8.4
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 25
    Rund um -4% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 12.1
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    25 left arrow 24
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.1 left arrow 12.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.6 left arrow 8.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2045 left arrow 1788
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RAM 2

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