Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Puntuación global
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Puntuación global
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Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 8.4
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 25
    En -4% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.9 left arrow 12.1
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.1 left arrow 12.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 8.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2045 left arrow 1788
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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