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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Compara
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
12.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2045
1788
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
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