RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
37
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2389
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link