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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
37
读取速度,GB/s
10.6
13.5
写入速度,GB/s
6.8
10.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2389
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
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