RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Porównaj
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
50
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.4
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1954
2931
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link