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Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
50
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
8.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
6.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
28
Velocidade de leitura, GB/s
8.8
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.4
10.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1954
2931
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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