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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
16
46
Por volta de -188% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.7
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
16
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
21.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
17.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3872
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
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Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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