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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
差异
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
46
左右 -188% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.7
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
16
读取速度,GB/s
2,909.8
21.7
写入速度,GB/s
1,519.2
17.8
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3872
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
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